Según el principio de efecto hall, depende del tamaño de potencial hall: Rh es constante de hall, que se relaciona con material semiconductor; I es la corriente de bias del elemento hall; B es la fuerza del campo magnético; D es el espesor del material semiconductor.
Para un dispositivo determinado pasillo, UH dependerá totalmente la fuerza del campo magnético medido B cuando el desplazamiento actual se fija.
Efecto Hall
Efecto Hall
Un elemento de pasillo generalmente tiene cuatro terminales de plomo, de los cuales dos son los terminales de entrada de sesgo del elemento hall actual que i y los otros dos son los terminales de salida de voltaje de hall. Si dos salida extremos forma un bucle exterior, pasillo actual se generará. En términos generales, el valor de desplazamiento actual se da generalmente por la fuente de tensión de referencia externa. Si los requisitos de precisión es alta, la fuente de tensión de referencia se sustituirá por la fuente de corriente constante. Para alcanzar la alta sensibilidad, algunos elementos de la sala tienen aleación de capa de alta permeabilidad en la superficie de detección. El potencial de hall de dichos sensores es grande, pero saturación aparece alrededor de 0.05t, que sólo es apto para uso bajo límite bajo y gama pequeña.
Cuando se aplica un campo magnético uniforme de intensidad de inducción magnética de B en ambos extremos del semiconductor de la oblea a control actual I, la tensión hall cuya diferencia de potencial es UH se generará en la dirección perpendicular a la corriente y magnética campo.
